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新華社消息（記者 余曉潔） 到2030年，第三代半導體產業(yè)力爭全產業(yè)鏈進入世界先進行列，部分核心關鍵技術國際引領，核心環(huán)節(jié)有1至3家世界龍頭企業(yè)，國產化率超過70％……第三代半導體發(fā)展戰(zhàn)略發(fā)布會25日在京舉行。第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲如是描述我國第三代半導體的“中國夢”。

第二屆國際第三代半導體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽同日啟動。大賽圍繞第三代半導體裝備、材料、器件、工藝、封裝、應用及設計與仿真方面的技術應用創(chuàng)新，以及商業(yè)模式創(chuàng)新等內容征集參賽項目。

第三代半導體是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料。“第一代、第二代半導體技術在光電子、電力電子和射頻微波等領域器件性能的提升已經(jīng)逼近材料的物理極限，難以支撐新一代信息技術的可持續(xù)發(fā)展，難以應對能源與環(huán)境面臨的嚴峻挑戰(zhàn)，難以滿足高新技術及其產業(yè)發(fā)展，迫切需要發(fā)展新一代半導體技術。”中國科學院院士、南京大學教授鄭有炓在發(fā)布會上說。

以通信產業(yè)為例，鄭有炓認為，氮化鎵技術正助力5G移動通信在全球加速奔跑。“5G移動通信將從人與人通信拓展到萬物互聯(lián)。預計2025年全球將產生1000億的連接。”鄭有炓說，5G技術不僅需要超帶寬，更需要高速接入，低接入時延，低功耗和高可靠性以支持海量設備的互聯(lián)。氮化鎵毫米波器件可以提供更高的功率密度、更高效率和更低功耗。

吳玲表示，我國第三代半導體創(chuàng)新發(fā)展的時機已經(jīng)成熟，處于重要窗口期。但目前仍面臨多重困境：創(chuàng)新鏈不通，缺乏有能力落實全鏈條設計、一體化實施的牽頭主體；缺乏體制機制創(chuàng)新的、開放的公共研發(fā)、服務及產業(yè)化中試平臺；核心材料、器件原始創(chuàng)新能力薄弱。

專家建議，要依托聯(lián)盟建設小核心、大網(wǎng)絡、主平臺、一體化的第三代半導體產業(yè)創(chuàng)新體系。